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MBR(F,B)10H90CT & MBR(F,B)10H100CT
Vishay General Semiconductor
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Document Number: 88668
Revision: 08-Nov-07
2
Note:
(1) Pulse test: 300
μs pulse width, 1 % duty cycle
,
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL VALUE UNIT
Maximum instantaneous forward voltage per diode
(1)
IF
= 5.0 A
IF
= 5.0 A
IF
= 10 A
IF
= 10 A
TJ
= 25 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= 125 °C
VF
0.76
0.61
0.85
0.71
V
Maximum reverse current per diode at working peak
reverse voltage (1)
TJ
= 25 °C
TJ
= 100 °C
IR
3.5
4.5
μA
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL MBR MBRF MBRB UNIT
Typical thermal resistance per diode RθJC
2.2 5.2 2.2 °C/W
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB MBR10H100CT-E3/45 1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB MBRF10H100CT-E3/45 1.79 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB10H100CT-E3/45 1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB10H100CT-E3/81 1.35 81 800/reel Tape reel
TO-220AB MBR10H100CTHE3/45 (1)
1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB MBRF10H100CTHE3/45 (1)
1.79 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB10H100CTHE3/45 (1)
1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB10H100CTHE3/81 (1)
1.35 81 800/reel Tape reel
Figure 1. Forward Derating Curve Per Diode
0
2
4
6
8
10
12
0 25 50 75 125 150 175100
Case Temperature (°C)
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
MBR
MBRB
MBRF
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
1 10 100
25
50
75
100
125
150
175
Peak For
w
ard S
u
rge C
u
rrent (A)
TJ
= T
J
Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
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